| 主权项 |
1.一种减小明亮瑕疵电动图素影响之方法,此电动图素将光传入观察者之视域中,其具有一横粱及一铰链,此方法包括施加足以破坏电动图素之电压以使图素不再将光传入该视域中之步骤。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该电压系为长时段电压。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该电压系为高振幅电压。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该电压系一组周期性脉波。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该破坏系因机械过度应力而发生。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该破坏系因热过度应力而发生。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该热过度应力发生于真空中。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该热过度应力发生于气体中。9.如申请专利范围第8项之方法,其中在一大气压压力下,该气体之黏性系大于空气。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该破坏系由热诱导化学反应所引发。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该热诱导化学反应发生于气体中。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该破坏系由电化学反应所引发。13.如申请专利范围第1项之方法,其中该电化学反应系气相电化学反应。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该已破坏电动图素具有一平面表面。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该平面表面系与下方基体平行。16.如申请专利范围第1项之方法,其中该铰链系已遭破坏。17.如申请专利范围第1项之方法,其中该横粱系已遭破坏。18.如申请专利范围第1项之方法,其中该瑕疵图素系电动图素阵列之一部分,而且复包括选择性地将该瑕疵图素定址,并只将电压施至该已选择定址图素之步骤。19.如申请专利范围第1项之方法,其中该瑕疵图素系电动图素阵列之一部分,而且复包括将电压施加于复数个电动图素俾足以破坏该瑕疵图素之步骤。20.如申请专利范围第1项之方法,其中该瑕疵图素系一正常未偏转且呈电响应性之电动图素阵列中之已偏转且无电响应性图素,而且复包括下列步骤:A.将图素阵列置入一个具有气体之环境中;在一大气压压力下,此气体之黏性系大于空气之黏性;以及B.施加一组周期性电压脉波,此等电压脉波足以破坏该瑕疵电动图素,惟仍不足以破坏至 |
