| 主权项 |
1.一种负载侦测装置,包含:一负载连接端,以供电连接一负载装置;一负载电位调整装置,电连接于该负载连接端,且因应于一电位调整信号,以调整一供所连接负载装置使用之电位;一负载感应装置,电连接于该负载连接端且电连接于该负载电位调整装置,当该负载连接端电连接有负载装置时,因应于有负载装置之电连接于该负载连接端所产生之一电位变化,藉以输出该电位调整信号,并输出一负载存在信号等所构成为其特征者。2.如申请专利范围第1项之负载侦测装置,其中该负载电位调整装置包括一电子开关(switch),其系用于控制流经该电子开关之电流量,俾以调整该供所连接负载装置使用之电位。3.如申请专利范围第2项之负载侦测装置,其中该电子开关包括一电晶体。4.如申请专利范围第3项之负载侦测装置,其中该电晶体系一金氧半场效电晶体(MOSFET)。5.如申请专利范围第4项之负载侦测装置,其中该金氧半场效电晶体系一P型通道(channel)之金氧半场效电晶体。6.如申请专利范围第1项之负载侦测装置,其中该负载感应装置包括一电位比较装置电连接于该负载连接端,以比较该供所连接负载装置使用之电位与一参考电位之大小,俾输出一比较结果。7.如申请专利范围第6项之负载侦测装置,其中该电位比较装置系一电压比较器。8.如申请专利范围第7项之负载侦测装置,其中该电压比较器包括一运算放大器。9.如申请专利范围第8项之负载侦测装置,其中该运算放大器系一编号为741之运算放大器。10.如申请专利范围第6项之负载侦测装置,其中该供所连接负载装置使用之电位系一于该负载连接端量测之电压値。11.如申请专利范围第6项之负载侦测装置,其中该参考电位系一固定电压値。12.如申请专利范围第6项之负载侦测装置,其中该比较结果系一高电位信号。13.如申请专利范围第6项之负载侦测装置,其中该比较结果系一低电位信号。14.如申请专利范围第6项之负载侦测装置,其中该负载感应装置更包括一电位调整信号产生装置电连接于该电位比较装置及该负载电位调整装置,其系依该比较结果产生该电位调整信号,俾以控制该负载电位调整装置。15.如申请专利范围第14项之负载侦测装置,其中该电位调整信号产生装置包括一驱动电路。16.如申请专利范围第15项之负载侦测装置,其中该驱动电路包括一电晶体。17.如申请专利范围第16项之负载侦测装置,其中该电晶体系一双极性电晶体(BJT)。18.如申请专利范围第14项之负载侦测装置,其中该负载感应装置更包括一负载存在信号输出装置电连接于该电位比较装置,以依该比较结果输出该负载存在信号。19.如申请专利范围第18项之负载侦测装置,其中该负载存在信号输出装置包括一剪波电路,系将一输入之方波信号转为一剪波信号以作为该负载存在信号输出。20.一种负载侦测装置,包含:一负载连接端,以供电连接一负载装置;一电位比较装置,电连接于该负载连接端,当该负载连接端电连接有负载装置时,自该负载连接端输入一供所连接负载装置使用之电位并与一参考电位作比较,俾输出一比较结果;一负载电位调整装置,电连接于该电位比较装置且电连接于该负载连接端,其依该比较结果调整该供所连接负载装置使用之电位,并输出一负载存在信号;等所构成为其特征者。21.如申请专利范围第20项之负载侦测装置,其中该电位比较装置系一电压比较器。22.如申请专利范围第21项之负载侦测装置,其中该电压比较器包括一运算放大器。23.如申请专利范围第22项之负载侦测装置,其中该运算放大器系一编号为741之运算放大器。24.如申请专利范围第20项之负载侦测装置,其中该供所连接负载装置使用之电位系一于该负载连接端量测之电压値。25.如申请专利范围第20项之负载侦测装置,其中该参考电位系一固定电压値。26.如申请专利范围第20项之负载侦测装置,其中该比较结果系一高电位信号。27.如申请专利范围第20项之负载侦测装置,其中该比较结果系一低电位信号。28.如申请专利范围第20项之负载侦测装置,其中该负载电位调整装置包括一电予开关(switch)电连接于该负载连接端,其系用于控制流经该电子开关之电流量,俾以调整该供所连接负载装置使用之电位。29.如申请专利范围第28项之负载侦测装置,其中该电子开关包括一电晶体。30.如申请专利范围第29项之负载侦测装置,其中该电晶体系一金氧半场效电晶体(MOSFET)。31.如申请专利范围第30项之负载侦测装置,其中该金氧半场效电晶体系一P型通道(channel)之金氧半场效电晶体。32.如申请专利范围第28项之负载侦测装置,其中该负载电位调整装置更包括一电位调整信号产生装置电连接于该电位比较装置及该电子开关,其系依该比较结果产生该电位调整信号,俾以控制该电子开关。33.如申请专利范围第32项之负载侦测装置,其中该电位调整信号产生装置包括一驱动电路。34.如申请专利范围第33项之负载侦测装置,其中该驱动电路包括一电晶体。35.如申请专利范围第34项之负载侦测装置,其中该电晶体系一双极性电晶体(BJT)。36.如申请专利范围第28项之负载侦测装置,其中该负载电位调整装置更包括一负载存在信号输出装置电连接于该电位比较装置,以依该比较结果输出该负载存在信号。37.如申请专利范围第36项之负载侦测装置,其中该负载存在信号输出装置包括一剪波电路,系将一输入之方波信号转为一剪波信号以作为该负载存在信号输出。38.一种负载侦测装置,包含:一负载连接端,以供电连接一负载装置;一负载电位信号处理装置,电连接于该负载连接端,当该负载连接端电连接有负载装置时,自该负载连接端输入一供所连接负载装置使用之电位,藉以产生一输出信号,并依其输入端之一控制信号,调整该供所连接负载装置使用之电位;一控制信号产生装置,电连接该负载电位信号处理装置,经该输出信号之触发,于该输入端输入该控制信号并于该控制信号产生装置之一输出端输出一负载存在信号;等所构成为其特征者。39.如申请专利范围第38项之负载侦测装置,其中该负载电位信号处理装置包括一电位比较装置电连接于该负载连接端,以比较该供所连接负载装置使用之电位与一参考电位之大小,俾输出一比较结果。40.如申请专利范围第39项之负载侦测装置,其中该电位比较装置系一电压比较器。41.如申请专利范围第40项之负载侦测装置,其中该电压比较器包括一运算放大器。42.如申请专利范围第41项之负载侦测装置,其中该运算放大器系一编号为741之运算放大器。43.如申请专利范围第39项之负载侦测装置,其中该供所连接负载装置使用之电位系一于该负载连接端量测之电压値。44.如申请专利范围第39项之负载侦测装置,其中该参考电位系一固定电压値。45.如申请专利范围第39项之负载侦测装置,其中该比较结果系一高电位信号。46.如申请专利范围第39项之负载侦测装置,其中该比较结果系一低电位信号。47.如申请专利范围第39项之负载侦测装置,其中该负载电位信号处理装置更包括一负载电位调整装置电连接于该电位比较装置及该负载连接端,其依该输入端之该控制信号,以调整该供所连接负载装置使用之电位。48.如申请专利范围第47项之负载侦测装置,其中该负载电位调整装置包括一电子开关(switch)电连接于该负载连接端,其系用于控制流肠该电子开关之电流量,俾以调整该供所连接负载装置使用之电位。49.如申请专利范围第48项之负载侦测装置,其中该电子开关包括一电晶体。50.如申请专利范围第49项之负载侦测装置,其中该电晶体系一金氧半场效电晶体(MOSFET)。51.如申请专利范围第50项之负载侦测装置,其中该金氧半场效电晶体系一P型通道(channel)之金氧半场效电晶体。52.如申请专利范围第38项之负载侦测装置,其中该控制信号产生装置包括一电位调整信号产生装置电连接于该负载电位信号处理装置,其依该输出信号以产生该控制信号并于该输入端输入该控制信号,俾控制该负载电位调整装置。53.如申请专利范围第52项之负载侦测装置,其中该电位调整信号产生装置包括一驱动电路。54.如申请专利范围第53项之负载侦测装置,其中该驱动电路包括一电晶体。55.如申请专利范围第54项之负载侦测装置,其中该电晶体系一双极性电晶体(BJT)。56.如申请专利范围第52项之负载侦测装置,其中该控制信号产生装置更包括一负载存在信号输出装置电连接于该负载电位信号处理装置,以依该输出信号,产生一负载存在信号。57.如申请专利范围第56项之负载侦测装置,其中该负载存在信号输出装置包括一剪波电路,系将一输入之方波信 |
