| 摘要 |
Verfahren zum Betreiben einer integrierten Schaltung, die einen Transistor aufweist, wobei das Verfahren umfasst: – Schalten des Transistors in seinen nichtleitenden Zustand; und – Bestimmen einer Sperrzeit in Abhängigkeit von der Amplitude eines Stroms durch den Transistor und der Temperatur des Transistors beim Schalten des Transistors in seinen nichtleitenden Zustand und von einer Stromabfallzeit; und Schalten des Transistors in seinen leitenden Zustand, nachdem wenigstens die Sperrzeit vergangen ist.
|
