Einstellen der Austrittsarbeit in Metallgateelektrodenstrukturen mit großemεdurch selektives Entfernen einer Barrierenschicht

摘要

Verfahren mit: Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur über einem ersten Halbleitergebiet eines Hableiterbauelements und Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur über einem zweiten Halbleitergebiet, wobei die erste und die zweite Gateelektrodenstruktur eine Gateisolationsschicht mit einem dielektrischen Material mit großem &egr;, ein metallenthaltendes Deckmaterial, das auf der Gateisolationsschicht gebildet ist, und ein Platzhaltermaterial aufweisen, wobei zumindest die zweite Gateelektrodenstruktur eine Ätzstoppbeschichtung enthält, die zwischen dem metallenthaltenden Deckmaterial und dem Platzhaltermaterial angeordnet ist; Entfernen des Platzhaltermaterials in der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur; Bilden einer oder mehrerer erster Materialschichten in der ersten und der zweiten Gateelektrodenstruktur, wobei die eine oder mehreren ersten Materialschichten ein Metall für die Austrittsarbeit für die erste Gateelektrodenstruktur enthalten; Entfernen der einen oder mehreren ersten Materialschichten selektiv von der zweiten Gateelektrodenstruktur unter Anwendung eines nasschemischen Mittels auf der Grundlage von Ammoniumhydroxid, wobei das nasschemische Mittel zum Ätzen mindestens einer der einen oder mehreren ersten Materialschichten verwendet wird;...