Halbleitervorrichtung

摘要

In einer Halbleitervorrichtung weist eine IGBT-Zelle (10) einen Graben (35) auf, der durch eine Basisschicht (31) eines Halbleitersubstrats (32) zu einer Driftschicht (30) des Halbleitersubstrats (32) verläuft, sowie einen Gate-Isolationsfilm (36) an einer inneren Oberfläche des Grabens (35), eine Gateelektrode (37a) auf dem Gate-Isolationsfilm (36), einen Emitterbereich (38) eines ersten Leitfähigkeitstyps in einem Oberflächenabschnitt der Basisschicht (31) und einen ersten Kontaktbereich (39) eines zweiten Leitfähigkeitstyps in dem Oberflächenabschnitt der Basisschicht (31). Die IGBT-Zelle enthält weiterhin eine potentialfreie Schicht (40) eines ersten Leitfähigkeitstyps, der innerhalb der Basisschicht (31) angeordnet ist, um die Basisschicht (31) in einen ersten Abschnitt mit dem Emitterbereich (38) und dem ersten Kontaktbereich (39) und einem zweiten Abschnitt benachbart der Driftschicht (30) zu unterteilen, wobei ein Isolationszwischenschichtfilm (41) so angeordnet ist, dass er ein Ende der Gateelektrode (37a) abdeckt. Eine Diodenzelle (20) enthält einen zweiten Kontaktbereich (42) eines zweiten Leitfähigkeitstyps an dem Oberflächenabschnitt der Basisschicht (31).