Mehrfach-Dichtringstruktur

摘要

Die vorliegende Offenbarung gibt ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung an, wobei das Verfahren enthält: Bereitstellen eines Substrats mit einem Dichtringbereich und einem Schaltkreisbereich; Ausbilden einer ersten Dichtringstruktur über dem Dichtringbereich; Ausbilden einer zweiten Dichtringstruktur über dem Dichtringbereich benachbart zur ersten Dichtringstruktur; und Ausbilden einer ersten Passivierungsschicht, die über der ersten und zweiten Dichtringstruktur angeordnet ist. Eine Halbleitervorrichtung, die durch solch ein Verfahren hergestellt wird, ist ebenso angegeben.