| 发明名称 |
METHOD FOR TREATING SURFACE OF HIGH WITHSTAND VOLTAGE DIODE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09213706(A) |
申请公布日期 |
1997.08.15 |
| 申请号 |
JP19960016375 |
申请日期 |
1996.02.01 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
MURAKAMI SUSUMU;MOCHIZUKI YASUHIRO;NARITA KAZUTOYO;KARIYA TADAAKI |
| 分类号 |
H01L21/306;H01L21/304;H01L21/316;H01L21/329;H01L21/56;H01L29/861;(IPC1-7):H01L21/329 |
主分类号 |
H01L21/306 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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