Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben

摘要

Halbleiterbauelement aufweisend – einen Halbleiterkörper (5) mit – einer ersten Elektrode (7) des Halbleiterkörpers (5), die mit einer ersten oberflächennahen Zone (8) des Halbleiterkörpers (5) elektrisch in Verbindung steht, – einer zweiten Elektrode (9), die mit einer zweiten Zone (10) des Halbleiterkörpers (5) elektrisch in Verbindung steht, – einer Driftstrecke (11), die in dem Halbleiterkörper (5) zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (7, 9) angeordnet ist, – eine Kopplungsstruktur (4) für mindestens eine in der Driftstrecke angeordnete Feldplatte (12), – wobei die Kopplungsstruktur (4) einen floatenden komplementär zu der Driftstrecke dotierten ersten Bereich (19) und einen in dem ersten Bereich angeordneten zweiten Bereich (16) aufweist, der einen lokal begrenzten Durchgreifeffekt zur Driftstrecke aufweist, und – wobei die Feldplatte (12) mit dem ersten und/oder dem zweiten Bereich (19, 16) elektrisch in Verbindung steht.