| 发明名称 | 制备类金刚石碳膜(DLC)的方法、由此制备的DLC膜、该膜的用途、场致发射体阵列以及场致发射体阴极 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于形成基本不含氢的DLC层的方法，其中将厚度约为1-100纳米的DLC层沉积在样品基底或场致发射体阵列的整个表面上，随后将其暴露在含氟气体的蚀刻等离子体中，其中在后一步骤中，含在基底中的氢通过与氟的化学蚀刻反应而被去除，其中重复形成该不含氢的DLC层的步骤，以得到预定厚度的DLC膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1166864A | 申请公布日期 | 1997.12.03 |
| 申请号 | CN96191316.9 | 申请日期 | 1996.11.02 |
| 申请人 | 奥里翁电气株式会社 | 发明人 | 张震;朴奎昶 |
| 分类号 | C23C16/26 | 主分类号 | C23C16/26 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 甘玲 |
| 主权项 | 1、一种在基底上形成DLC膜的方法，该方法包括下列步骤：(1)在该基底上生长预定厚度的DLC层，以及(2)在该DLC层生长后将该DLC层的表面暴露在蚀刻等离子体中。 | ||
| 地址 | 韩国庆尚北道 | ||