半导体装置之金属布线制造方法

摘要

半导体装置之金属布线的制造方法被提供而且包括步骤:沉积一层障碍物金属层于绝缘薄膜之上,而且经过SF₆等离子体处理;依序形成一层铝金属层、一层防止反射层以及光致抗蚀剂薄膜图案于该障碍物金属层的表面之上,以该图案当作蚀刻掩模蚀刻该防止反射层、该铝金属层以及该障碍物金属层而形成金属布线;并且去除该光致抗蚀剂薄膜图案,当硅球状体在铝金属层被沉积于其上时只生长一点点于该障碍物金属层之上的时候,该SF₆等离子体处理在蚀刻期间不会留下任何残馀物于该绝缘薄膜之上。

主权项

1.一种半导体装置之金属布线的制造方法，包括步骤：沉积一层障碍物金属层于绝缘薄膜之上，而且使该障碍物金属层经过六氟化硫(SF6)等离子体处理；依序形成一层铝金属层、一层防止反射层以及光致抗蚀剂薄膜图案于该障碍物金属层的表面之上；以该光致抗蚀剂薄膜图案当作蚀刻掩模，蚀刻该防止反射层、该铝金属层以及该障碍物金属层而形成金属布线，并且去除该光致抗蚀剂薄膜图案。