半导体基板评估用的表面处理方法

摘要

[目的] 于使用 SPV 法来评估半导体基板的重金属污染的场合，在知方法中，由于若不将半导体基板于表面处理后放置一周， 则 SPV 值不稳定，故本发明能够短时间地使其稳定。[构造]对施行藉由混合酸的蚀刻来去除磊晶层而使裸矽层表面露出的半导体基板，施行藉由缓冲氢氟酸的洗净及随之的 SC-1洗净。若于上述处理后放置约2小时，则 SPV值的变化率相当稳定约为 5％，而能够高精度地测定少数载子扩散长度。因此，半导体基板评估的前置时间可较知方法大幅地缩短。

主权项

1.一种半导体基板评估用的表面处理方法,其特征在于:在半导体基板之Fe、Cr等的重金属污染度评估时,对藉由使用混合酸的蚀刻而使裸矽层表面露出的半导体基板,施行藉由缓冲氢氟酸的洗净以及随之的SC-1洗净,而使藉由SPV法之少数载子扩散长度的测定値安定。2.一种半导体基板评估用的表面处理方法,其特征在于:对研光晶圆等表面无光泽的半导体基板,施行藉由缓冲氢氟酸的洗净以及随之的SC-1洗净,而使藉由SPV法之少数载子扩散长度的测定値安定。图示简单说明:第一图系显示对于矽晶圆施行磊晶成长的半导体基板使用SPV法来测定少数载子扩散长度之场合之表面处理的程序概要图。第二图系显示在依据上述程序而施行表面处理的半导体基板中对于光照射时间之SPV値之变化的曲线图。第三图系以不同之半导体基板的表面处理方法来比较在光照射开始后3分钟之SPV値之变化率的图。第四图系时间序列地描绘在施行藉由习知技术之表面处理的半导体基板中自光照射开始至t秒钟后的SPV値V(t)与光照射开始时之SPV値V(o)之比V(t)/V(o)之变化的曲线图。第五图系显示将光照射于施行藉由习知技术之表面处理之半导体基板的同一测定点而作10次测定少数载子扩散长度之结果的曲线图。