自我对准且平坦化之昇起式源/汲极结构的金氧半电晶体制程

摘要

一种新的金氧半 (MOS) 电晶体制程，可应用在深次微米的元件制作。主要利用一多晶矽层形成昇起式源/汲极的结构，并藉由一平坦化程序完成自我对准的目的。此方法可降低元件的短通道效应，减少源/汲极的串联阻抗，也可同时形成电路的局部联线(local interconnect)及表面平坦化。此方式非常适用于深次微米的元件及电路制作。

主权项

1.一种金氧半电晶体制程,其步骤包括:依序形成闸极氧化层、闸极层及一第一介电层,于一已形成隔离之基板上;依序蚀刻该第一介电层及该闸极层,以定义闸极区域;形成该闸极区域之边衬隔离层;形成一掺杂之多晶矽层,于整个基板上;蚀刻该多晶矽层,以形成基板上各元件间的隔离以及局部连线;沉积一第二介电层;进行高温退火,以将该多晶矽层中之掺杂元素扩散入该基板中形成浅接面;进行表面平坦化之研磨,以耗去闸极区域上之该多晶矽层而定义出完全隔离之源极区域及汲极区域;沉积一第三介电层;以及制作闸极、源极和汲极之接触窗及金属连线。2.如申请专利范围第1项之制程,其中该多晶矽层中之掺杂,可藉内在掺杂(in-situ doping)或离子布植方式达成。3.如申请专利范围第1或2项之制程,其中该表面平坦化之研磨,系利用代学机械式抛光法(CMP)达成。图示简单说明:第一图A:系习知延伸源/汲极结构的示意图;第一图B:系采习知SEG方式所形成之昇起式源/汲极结构;第二A-二G图:系依据本发明之较佳实施例的制程。