| 主权项 |
1.一种用于磨光金属和二氧化矽复合材料之组成物,含有:水性介质,磨蚀粒子,选自包括氯酸盐、过氯酸盐、次氯酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、硫酸盐、过氧化物及碘酸盐之氧化剂和可压抑二氧化矽脱除速率的化合物或诸化合物,其中各该化合物或诸化合物含有至少两个酸基且其第一个可解离酸的pKa实质地不大于该磨光组成物的pH値,该化合物或诸化合物系选自包括在相对于其羧酸基的位置上具有二级羟基之一元-和二元-羧酸及其盐;在相对于其羧酸基的位置上具有二级或三级羟基之三元-或多元羧酸及其盐;及一种含有苯环之化合物,其中该磨光组成物之pH在酸的范围中,且该化合物或诸化合物之溶液浓度为至少0.1莫耳浓度。2.如申请专利范围第1项所述之组成物,其基本上含有水,磨蚀粒子,过氧化氢和苯二甲酸氢钾,其中该苯二甲酸盐成份的溶液中浓度为至少0.1莫耳浓度。3.如申请专利范围第2项所述之组成物,其基本上含有,以重量份数计之:3.2份的水,0.33份的磨蚀粒子,1.5份的过氧化氢和0.22份的苯二甲酸氢钾。4.一种磨光复合材料之方法,该复合材料包括金属作为其一成份,以及矽,二氧化矽或矽酸盐作为另一成份,该方法包括使用一种组合物抛光该复合物以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率,该组合物含有水性介质,磨蚀粒子,选自包括氯酸盐、过氯酸盐、次氯酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、硫酸盐、过氧化物及碘酸盐之氧化剂和至少一种可压抑二氧化矽脱除速率的化合物,其中各该化合物含有至少两个酸基且其第一个可解离酸的pKa实质地不大于该磨光组成物的pH値。5.如申请专利范围第4项之方法,该用以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率之化合物含有一苯环。6.如申请专利范围第4项之方法,该用以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率之化合物为在相对于其羧酸基的位置上具有二级羧基之直链一元-和二元-羧酸及其盐。7.如申请专利范围第4项之方法,该用以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率之化合物为在相对于其羧酸基的位置上具有二级羧基之直链二级或三级羧基之三元-或多元-羧酸及其盐。8.如申请专利范围第6项之方法,该组合物基本上含有水、磨蚀粒子、过氧化氢和苯二甲酸氢钾,其中该本苯二甲酸盐成份的溶液中浓度为至少0.1莫耳浓度。9.如申请专利范围第6项所述之方法,该组合物基本上含有,以重量份数计之:3.2份的水,0.33份的磨蚀粒子,1.5份的过氧化氢和0.22份的苯二甲酸氢钾。10.一种磨光积体电路之方法,该积体电路的表面系由金属和二氧化矽所成者;该方法包使用一种组合物抛光该复合物以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率,该组合物含有水性介质,磨蚀粒子,选自包括氯酸盐、过氯酸盐、次氯酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、硫酸盐、过氧化物及碘酸盐之氧化剂和至少一种可压抑二氧化矽脱除速率的化合物,其中各该化合物含有至少两个酸基且其第一个可解离酸的pKa实质地不大于该磨光组成物的pH値。11.如申请专利范围第10项之方法,其中,该用以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率之化合物含有一苯环。12.如申请专利范围第10项之方法,其中,该用以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率之化合物为在相对于其羧酸基的位置上具有二级羧基之直链一元-和二元-羧酸及其盐。13.如申请专利范围第10项之方法,其中,该用以压抑矽、二氧化矽或矽酸盐之脱除速率之化合物为在相对于其羧酸基的位置上具有二级羧基之直链二级或三级羧基之三元-或多元-羧酸及其盐。14.如申请专利范围第11项之方法,其中,该组合物基本上含有水、磨蚀粒子、过氧化氢和苯二甲酸氢钾,其中该本苯二甲酸盐成份的溶液中浓度为至少0.1莫耳浓度。15.如申请专利范围第14项之方法,其中,该组合物基本上含有,以重量份数计之:3.2份的水,0.33份的磨蚀粒子,1.5份的过氧化氢和0.22份的苯二甲酸氢钾。 |
