Verfahren zum Strukturieren eines Dielektrikums mit kleinemεunter Anwendung einer Hartmaske

摘要

Verfahren mit: Bilden einer strukturierten Hartmaske aus einer Hartmaskenschicht über einer dielektrischen Schicht mit kleinemεeiner Halbleitermetallisierungsschicht, wobei die Hartmaskenschicht zwei oder mehr gestapelte Teilschichten aufweist, Strukturieren der dielektrischen Schicht mit kleinemεdurch anisotropes Ätzen der dielektrischen Schicht mit kleinemεunter Verwendung der strukturierten Hartmaske als eine Ätzmaske; Bilden einer Kontaktlochöffnung und eines Grabens in der Schicht mit kleinemε; und Entfernen zumindest einer der Teilschichten der Hartmaskenschicht durch Füllen der Kontaktlochöffnung und des Grabens mit organischem Material und Entfernen der mindestens einen Teilschicht durch chemisch mechanisches Polieren und/oder selektives Ätzen unter Verwendung einer weiteren der Teilschichten als Stoppschicht.