| 摘要 |
Es werden eine Halbleitervorrichtung (100) und ein Verfahren offenbart. Die Halbleitervorrichtung (100) enthält ein Substrat (110), das ein erstes Gebiet (102) und ein zweites Gebiet (103) aufweist, und eine Isolierschicht (140), die auf dem Substrat (110) angeordnet ist. Eine erste leitende Schicht (120) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem ersten Gebiet (102) angeordnet und eine zweite leitende Schicht (130) ist in oder auf der Isolierschicht (140) in dem zweiten Gebiet (103) angeordnet. Die erste leitende Schicht (120) weist ein erstes leitendes Material auf und die zweite leitende Schicht (130) weist ein zweites leitendes Material auf, wobei sich das erste leitende Material von dem zweiten leitenden Material unterscheidet. Auf der ersten leitenden Schicht (120) ist eine Metallschicht (170) angeordnet. |
