| 发明名称 | 发光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种发光二极管，其具有：包括被电接触的至少一个有源区(11)的第一半导体本体(10)，其中在发光二极管的工作中在有源区(11)中产生第一波长范围的电磁辐射(110)；以及在第一半导体本体(10)的上侧(10a)固定在第一半导体本体(10)上的第二半导体(20)，其中第二半导体(20)具有带有多量子阱结构(213)的再发射区域(21)，并且其中在发光二极管的工作中在再发射区域(21)中吸收第一波长范围的电磁辐射(110)并且再发射第二波长范围的电磁辐射(220)；以及设置在第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)之间的连接材料(30)，其中连接材料(30)将第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)以机械方式彼此连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102362348A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201080012971.8 | 申请日期 | 2010.03.15 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 马蒂亚斯·扎巴蒂尔;西蒙·科楚尔;斯特凡·格勒奇 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/08(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I;H01L33/58(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 王萍;李春晖 |
| 主权项 | 一种发光二极管，其具有‑第一半导体本体(10)，该第一半导体本体包括被电接触的至少一个有源区(11)，其中在发光二极管的工作中在所述有源区(11)中产生第一波长范围的电磁辐射(110)，以及‑第二半导体本体(20)，该第二半导体本体在第一半导体本体(10)的上侧(10a)固定在第一半导体本体(10)上，其中第二半导体本体(20)具有带有多量子阱结构(213)的再发射区域(21)，并且其中在发光二极管的工作中在再发射区域(21)中吸收第一波长范围的电磁辐射(110)并且再发射第二波长范围(220)的电磁辐射，以及‑连接材料(30)，该连接材料设置在第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)之间，其中连接材料(30)将第一半导体本体(10)和第二半导体本体(20)以机械方式彼此连接。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||