| 发明名称 | In-Ga-Zn-O系溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备In的含量比周围多的组织、和Ga以及Zn的含量比周围多的组织。 | ||
| 申请公布号 | CN102362004A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201080013169.0 | 申请日期 | 2010.11.16 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;糸濑将之 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 翟赟琪 |
| 主权项 | 一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备与周围相比In的含量多的组织、和与周围相比Ga以及Zn的含量多的组织。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||