发明名称 镀膜单晶太阳能硅片
摘要 本实用新型公开了一种镀膜单晶太阳能硅片,包括电池本体,所述的电池本体正电极和背电极的两面均镀有一层氮化硅膜。本实用新型的有益效果:可进一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅减反射膜可以使反射率仅仅有4%左右,使光能的转化效率进一步提高;可钝化硅片中的悬挂键、位错、晶界、点缺陷(空位、填隙原子、金属杂质、氧、氮及他们的复合物)筹缺陷,减少少子的复合;提高载流子迁移率20%左右,延长少子的寿命,提高了电池的短路电流和开路电压,从而提高晶体硅太阳能电池的转化效率。
申请公布号 CN202150469U 申请公布日期 2012.02.22
申请号 CN201120288415.5 申请日期 2011.08.10
申请人 温州索乐新能源科技有限公司 发明人 陈一鸣
分类号 H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I 主分类号 H01L31/042(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 镀膜单晶太阳能硅片,包括电池本体(1),其特征在于,所述的电池本体(1)正电极(4)和背电极(5)的两面均镀有一层氮化硅膜(2)。
地址 325000 浙江省温州市经济技术开发区滨海园区滨海五道338号