| 发明名称 | 电子器件的制作方法、外延衬底的制作方法、Ⅲ族氮化物半导体元件及氮化镓外延衬底 | ||
| 摘要 | 在工序(S103)中，在n型GaN衬底(11)上生长氮化镓基半导体层(13)。在工序(S104)中，在室温下测定包含黄带波长带的波长区域及包含与氮化镓基半导体层的带边对应的带边波长的波长区域的PL光谱。在工序(S106)中，通过将黄带波长带和带边波长的光致发光光谱强度与基准值比较而挑选外延衬底，制作已经挑选的外延衬底(E1)。在工序(S107)中，在已经挑选的外延衬底(13)上形成用于电子器件的电极(15)。 | ||
| 申请公布号 | CN101689523B | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN200880021916.8 | 申请日期 | 2008.07.17 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 斋藤雄 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01S5/323(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种制作电子器件的方法，所述电子器件使用III族氮化物基化合物半导体，其特征在于，包含：利用有机金属气相生长法在衬底上生长包含一个或多个氮化镓基半导体层的半导体区域从而形成外延衬底的工序；对所述氮化镓基半导体层测定包含黄带波长带的波长区域及包含所述氮化镓基半导体层的带边的带边波长的波长区域的光致发光光谱的工序；生成所述黄带波长带的光致发光光谱强度与带边波长的光谱强度的强度比的工序；通过将所述黄带波长带与所述带边波长的光致发光光谱的强度比与基准值比较，挑选所述外延衬底以提供已经挑选的外延衬底的工序；和挑选所述外延衬底后形成用于所述电子器件的电极的工序，其中，换算为室温下的光致发光光谱测定，所述基准值为0.05以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||