半导体用粘接膜、以及半导体芯片、半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种带粘接膜半导体芯片的制造方法中使用的半导体用粘接膜，所述制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带以所述顺序层叠，其中，半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将切割带沿多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将多个半导体芯片分别沿层叠体的层叠方向拾起，从而分割半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。

主权项

一种半导体用粘接膜，其具有1～15μm范围的厚度，具有小于5％的拉伸断裂伸长率，且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，其用于带粘接膜半导体芯片的制造方法，所述带粘接膜半导体芯片的制造方法具备以下工序：准备层叠体的工序，其将半导体晶片、半导体用粘接膜及切割带依此顺序层叠，其中，所述半导体用粘接膜具有1～15μm范围的厚度、具有小于5％的拉伸断裂伸长率、且该拉伸断裂伸长率小于最大负荷时的伸长率的110％，所述半导体晶片具有由激光照射而形成的用于将所述半导体晶片分割为多个半导体芯片的改性部；将所述切割带沿所述多个半导体芯片相互分离的方向拉伸，从而不分割所述半导体用粘接膜地将所述半导体晶片分割为所述多个半导体芯片的工序；以及将所述多个半导体芯片分别沿所述层叠体的层叠方向拾起，从而分割所述半导体用粘接膜，得到带粘接膜半导体芯片的工序。