发明名称 |
芯片封装结构制程 |
摘要 |
本发明揭示一种可靠度获得提升的芯片封装结构制程。首先,提供一具有多个第一焊垫的第一基板及一具有多个第二焊垫的第二基板,并在第一基板的这些第一焊垫上形成多个凸块。在第一基板上形成一第一二阶粘着层并将其B阶化以形成一第一B阶粘着层。在第二基板上形成一第二二阶粘着层,并将其B阶化以形成一第二B阶粘着层。接着,透过第一B阶粘着层与第二B阶粘着层结合第一基板与第二基板,以使得各第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。 |
申请公布号 |
CN101625986B |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN200810214683.5 |
申请日期 |
2008.08.29 |
申请人 |
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
发明人 |
沈更新;王伟 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一种芯片封装结构制程,包括:提供一具有多个第一焊垫的第一基板;提供一具有多个第二焊垫的第二基板;于该第一基板具有的该第一焊垫上形成多个凸块;于该第一基板上形成一第一二阶粘着层;B阶化该第一二阶粘着层以形成一第一B阶粘着层,其中形成该第一B阶粘着层的方法包括:形成多个第一二阶粘着块以围住该凸块;以及B阶化该些第一二阶粘着块以形成多个第一B阶粘着块;于该第二基板上形成一第二二阶粘着层;B阶化该第二二阶粘着层以形成一第二B阶粘着层,其中该第一B阶粘着层的玻璃转换温度高于或等于该第二B阶粘着层的玻璃转换温度,形成该第二B阶粘着层的方法包括:在该些第二焊垫上形成多个第二二阶粘着块;以及B阶化该些第二二阶粘着块以形成多个第二B阶粘着块,其中该些第二B阶粘着块完全覆盖该些第二焊垫;以及透过该第一B阶粘着层与该第二B阶粘着层结合该第一基板与该第二基板,以使得各该些第一焊垫分别透过其中一凸块与对应的第二焊垫电性连接。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 |