发明名称 表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片
摘要 本发明提供一种表面等离子体共振传感器及该传感器用芯片,是高灵敏度的局部存在式表面等离子体共振传感器。传感器用芯片在基板(51)的表面上形成有金属层(52),在金属层(52)表面的测定区域(44)设有多个细微的凹部(57)。在向该测定区域照射直线偏振光的光时,在凹部(57)内对置的金属层表面产生局部存在的共振电场。接受其反射光,测定此时的反射率。直线偏振光的光按照其偏振光面与凹部(57)的长度方向正交的方式照射。
申请公布号 CN101261227B 申请公布日期 2012.02.22
申请号 CN200810082068.3 申请日期 2008.03.05
申请人 欧姆龙株式会社 发明人 西川武男;松下智彦;山下英之;莲井亮介;藤田悟史;奥野雄太郎;青山茂
分类号 G01N21/55(2006.01)I;G01N21/41(2006.01)I 主分类号 G01N21/55(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 黄纶伟
主权项 一种表面等离子体共振传感器,其包括:表面等离子体共振传感器用芯片、向所述表面等离子体共振传感器用芯片照射光的光源、以及接受由所述表面等离子体共振传感器用芯片反射的光的光检测器,所述表面等离子体共振传感器的特征在于,所述表面等离子体共振传感器用芯片具有基板、和形成为覆盖所述基板表面的至少一部分的金属层,把与所述基板接触的部分设为该金属层的里面,把与该里面相对的面设为金属层表面,在所述金属层的表面形成有多个凹部,所述凹部内的内壁面具有至少一组对置的金属层表面,在所述对置的金属层表面的凹部内的内壁面上利用金属层表面接受光,从而产生局部存在的共振电场,从所述光源射出并射入到所述传感器用芯片的表面、并且在所述金属层表面的包括所述凹部的区域反射的光,由所述光检测器接受,由此测定所述传感器用芯片上的反射率或者由所述光检测器接受的光强度,所述凹部的深度大于等于20nm且小于等于100nm,在与射入到所述金属层的表面的光的偏振光面平行的方向上,所述凹部的宽度大于等于20nm且小于等于100nm,所述凹部的宽度比凹部的排列间距的二分之一小,而且相邻的所述凹部之间的平坦面比所述凹部的宽度宽,且所述凹部的排列间距在光的波长的1/2以下。
地址 日本京都府京都市