| 发明名称 | 一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，它在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000-1100℃，保温时间为4-8小时。用本发明的烧结工艺得到的ZrTi体系微波介质陶瓷材料，Q值可以达到9000以上，电气性能上得到了大大的提高。 | ||
| 申请公布号 | CN102358700A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201110227010.5 | 申请日期 | 2011.08.09 |
| 申请人 | 武汉凡谷电子技术股份有限公司 | 发明人 | 钟伟刚;舒剑龙 |
| 分类号 | C04B35/515(2006.01)I;C04B35/64(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/515(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 | 代理人 | 黄行军 |
| 主权项 | 一种用于生产ZrTi体系微波介质陶瓷材料的烧结工艺，其特征在于：所述烧结工艺在烧结完成后还包括有热处理工序，所述热处理工序的热处理温度为1000‑1100℃，保温时间为4‑8小时。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市江夏区关凤路藏龙岛凡谷工业园4号楼2楼 | ||