发明名称 |
灰阶掩模的缺陷修正方法和制造方法、灰阶掩模及图案转印方法 |
摘要 |
提供一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法,灰阶掩模(20)具备遮光部(21)、透光部(22)、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部(23),在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案,其中,半透光部(23)由半透光膜(26)形成,具有在半透光部(23)确定缺陷区域的工序;以及在包含缺陷区域的区域形成修正膜(27)的工序。修正膜(27)在相比于其中心部更靠周缘侧的部分,具有曝光光的透过量大于中心部的区域。 |
申请公布号 |
CN101276140B |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN200810086584.3 |
申请日期 |
2008.03.20 |
申请人 |
HOYA株式会社 |
发明人 |
佐野道明 |
分类号 |
G03F1/00(2012.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G03F1/00(2012.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李贵亮 |
主权项 |
一种灰阶掩模的缺陷修正方法,所述灰阶掩模具有对曝光光进行遮光的遮光部、使曝光光透过的透光部、以及将曝光光的透过量降低规定量的半透光部,用于在被转印体上形成膜厚呈阶段性或连续性不同的抗蚀图案,其特征在于,具有:利用半透光膜形成所述半透光部,在所述半透光部确定缺陷区域的工序;和在包含所述缺陷区域且比其大的区域形成修正膜的工序,所述修正膜在相比于其中心部更靠周缘侧的部分具有曝光光的透过量大于中心部的区域。 |
地址 |
日本东京都 |