| 发明名称 | 化合物半导体发光器件、其晶片以及该晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的化合物半导体发光器件(LED)晶片的制造方法包括以下步骤：在化合物半导体LED晶片的顶部和/或底部表面上形成保护膜，其中所述器件规则地且周期性地排列，其间设置有分离区；在使气体吹到被激光辐照的部分上的同时，通过激光处理在其上形成有所述保护膜的所述表面的所述分离区中形成分离槽，其中，通过使激光束聚焦在保护膜的表面上，形成截面形状为V字形的分离槽；以及除去至少部分所述保护膜，按上述顺序进行这些步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1943050B | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN200580011827.1 | 申请日期 | 2005.04.19 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 楠木克辉 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 杨晓光;于静 |
| 主权项 | 一种化合物半导体发光器件晶片的制造方法，包括按以下顺序进行的步骤：在包括衬底和许多化合物半导体发光器件的化合物半导体发光器件晶片的衬底背面进行研磨使其粗糙度Ra成为0.001μm～2μm，其中所述衬底背面是衬底的不设置化合物半导体发光器件的面，所述器件规则地且周期性地排列，其间设置有分离区；在所述化合物半导体发光器件晶片的顶部表面即半导体侧的表面和/或底部表面上形成由绝缘膜构成的保护膜；在使气体吹到被激光辐照的部分上的同时，通过激光处理在其上形成有所述保护膜的所述表面的所述分离区中形成分离槽，其中，通过使激光束聚焦在保护膜的表面上，形成截面形状为V字形的分离槽；以及除去至少部分所述保护膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||