| 发明名称 | 制备III-N 体晶和自支撑III-N 衬底的方法以及III-N 体晶和自支撑III-N 衬底 | ||
| 摘要 | 本发明描述一种制备III-N体晶和自支撑III-衬底的方法以及III-N体晶和自支撑III-N衬底，其中，III代表选自元素周期表III族中的至少一种元素，选自Al，Ga和In，其中，III-N体晶通过气相外延在衬底上生长，并且其中生长速率是即时测量的。通过原位，即在外延生长过程中，主动测量和控制生长速率，可以将实际生长速率保持在基本恒定。由此，可以获得在生长方向上以及在与生长方向垂直的生长平面内分别具有优异晶体质量的III-N体晶以及从上面分离的单个的III-N单晶衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN102358955A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN201110332897.4 | 申请日期 | 2007.05.04 |
| 申请人 | 弗赖贝格化合物原料有限公司 | 发明人 | G·莱比格;F·哈贝尔;S·艾希勒 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | III‑N体晶，其中，III表示周期表III族中的至少一种元素，选自Al、Ga和In，其中，当在(i)平行于生长平面的，和/或(ii)生长方向上的平面上对所述III‑N体晶进行摇摆曲线图形扫描时，分别测量的峰值半高宽的标准偏差在情形(i)中为5％或者更低，在情形(ii)中为10％或者更低，或，其中，当在(i)平行于生长平面的，和/或(ii)生长方向上的平面上对所述III‑N体晶进行显微Raman图形扫描时，测量的E2‑声子的峰值半高宽的标准偏差在情形(i)中为5％或者更低，在情形(ii)中为10％或者更低。 | ||
| 地址 | 德国弗赖贝格 | ||