具有存储矩阵的电子电路

摘要

一种电子电路，其包括存储矩阵(60)，该存储矩阵具有存储单元(16)的行和列。向每个行提供第一行导线(10，12)。向连续重叠的邻近的行对提供第二行导线(12)。向每列提供列导线(14)。每个存储单元(16)包括存取晶体管(160)、节点(166)和第一和第二电阻存储元件(162，164)。存取晶体管(160)优选地是垂直晶体管，其具有与存储单元(16)的行的第一行导线(10)耦接的控制电极、在存储单元(160)的列的列导线(14)和节点(166)之间耦接的主电流沟道。第一和第二电阻存储元件(162，164)被耦接在节点(166)和存储单元所属的行对的第二行导线(12)之间。

主权项

一种具有存储矩阵(60)的电子电路，所述存储矩阵包括由存储单元(16)构成的行和列，所述矩阵(60)包括：‑第一行导线(10)，用于每一行；‑第二行导线(12)，用于每一个行对，其中每个行对由两个相邻的行构成，每两个相邻的行之间布置一条第二行导线(12)，使得每个存储单元(16)属于两个行对；和‑列导线(14)，用于每一列，其中每个所述的存储单元(16)均包括：‑存取晶体管(160)，‑节点(166)，和‑第一和第二电阻存储元件(162，164)，其中所述存取晶体管(160)具有与所述存储单元(16)的行的第一行导线(10)耦接的控制电极、耦接在所述存储元件(160)的列的列导线(14)和所述节点(166)之间的主电流沟道，所述第一和第二电阻存储元件(162，164)分别被耦接在所述节点(166)与所述存储单元所属的两个行对的两条第二行导线(12)之间，其中，‑所述存取晶体管(160)被实现为垂直晶体管，‑所述主电流沟道(20)垂直于第一行导线(10)、第二行导线(12)和列导线(14)而延伸，与第一行导线(10)交叉，从而所述第一行导线用作所述存取晶体管(160)的栅极电极，‑所述列导线(14)和所述第二行导线(12)分别处于由至少两条第一行导线(10)所形成的平面的相对两侧的平面内，包括电阻存储材料的一个区域或多个区域(22)处于所述主电流沟道(20)和所述第二行导线(12)之间。