Método de fabricación de dispositivos RB-IGBT.Se presenta un método de fabricación de dispositivos IGBT, con capacidad de bloqueo en inversa. Para ello, se ha utilizado la técnica de aislamiento por trinchera donde el proceso de impurificación de la misma se ha realizado utilizando una fuente sólida con obleas de boro, resultando en un abaratamiento tanto en material de partida como en una reducción del tiempo de proceso.
申请公布号
ES2374774(A1)
申请公布日期
2012.02.22
申请号
ES20080000799
申请日期
2008.03.18
申请人
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC)