发明名称 |
一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜,其从太阳能电池晶体硅表面依次向外,第一层为厚度为10~15nm,折射率为2.2~2.4的氮化硅薄膜;第二层为厚度为30~35nm,折射率为1.95~2.05的氮化硅薄膜;第三层为厚度为8~10nm,折射率为2.3-2.4的氮化硅薄膜;第四层为厚度为30~35nm,折射率为2.1-2.15的氮化硅薄膜。其采用管式PECVD镀膜,第一、二、三、四层膜的沉积温度均为450℃-470℃,第一层膜的氨气流量为3000-3500sccm、硅烷流量为800-850sccm;第二层膜的氨气流量为6500-7000sccm、硅烷流量为700-730sccm;第三层膜的氨气流量为4000-4500sccm、硅烷流量为780-800sccm;第四层膜的氨气流量为6500-6800sccm、硅烷流量为880-900sccm。本发明可以将制成的晶体硅太阳能电池表面的反射损失减少0.9%-1.2%,将制成的晶体硅太阳能电池的转换效率提高0.15%-0.25%。 |
申请公布号 |
CN102361037A |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN201110305646.7 |
申请日期 |
2011.10.11 |
申请人 |
光为绿色新能源股份有限公司 |
发明人 |
刘粉霞 |
分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;B32B9/00(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
代理机构 |
保定市燕赵恒通知识产权代理事务所 13121 |
代理人 |
周献济 |
主权项 |
一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜,其特征在于:其是由四层膜构成,第一层为太阳能电池晶体硅表面的第一层氮化硅薄膜,厚度为10~15nm,折射率为2.2~2.4;第二层为第二层氮化硅薄膜,厚度为30~35nm,折射率为1.95~2.05;第三层为第三层氮化硅薄膜,厚度为8~10nm,折射率为2.3‑2.4;第四层为第四层氮化硅薄膜,厚度为30~35nm,折射率为2.1‑2.15。 |
地址 |
074000 河北省高碑店市新工业区光为绿色新能源股份有限公司 |