光学泵浦固态激光器以及包括所述固态激光器的照明系统

摘要

本发明涉及一种固态激光器件（1），该固态激光器件包括增益介质（10），该增益介质基本上具有掺杂有稀土离子的固态基质材料（15）的主相。依照本发明，稀土离子的至少一部分是具有高能地位于基质材料（15）的最高价态与最低导通状态之间的至少一个4f态（16，17）和至少一个5d带（18）的Ce3+离子（19），其中：-最高4f态（17）和5d带（18）的下边缘具有第一能级差异（Δ1），并且-最低4f态（16）和5d带（18）的上边缘具有第二能级差异（Δ2）；并且其中基质材料（15）被选择成使得得到的增益介质（10）具有不含空置状态的用于禁用激发态吸收的能量范围（20），该能量范围（20）位于较低能量（21）与较高能量（22）之间，-所述较低能量（21）比5d带（18）的下边缘高出第一能级差异（Δ1）的值，并且-所述较高能量（22）比5d带（18）的上边缘高出第二能级差异（Δ2）的值。可能的基质材料为Y3AlGa4O12、Ca3Sc2Si3O12。本发明进一步涉及包括至少一个固态激光器件（1）的对应照明系统。

主权项

固态激光器件（1），包括增益介质（10），该增益介质基本上具有掺杂有稀土离子的固态基质材料（15）的主相，其中稀土离子的至少一部分是具有高能地位于基质材料（15）的最高价态与最低导通状态之间的至少一个4f态（16，17）和至少一个5d带（18）的Ce3+离子（19），其中‑ 最高4f态（17）和5d带（18）的下边缘具有第一能级距离（Δ1），并且‑ 最低4f态（16）和5d带（18）的上边缘具有第二能级距离（Δ2），其中基质材料（15）被选择成使得得到的增益介质（10）具有不含空置状态的用于禁用激发态吸收的能量范围（20），该能量范围（20）位于较低能量（21）与较高能量（22）之间，‑ 所述较低能量（21）比5d带（18）的下边缘高出第一能级距离（Δ1）的值，并且‑ 所述较高能量（22）比5d带（18）的上边缘高出第二能级距离（Δ2）的值。