半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器

摘要

本发明涉及一种半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层，所述第一金属覆铜层包括一组半模基片集成波导上表区域、位于半模基片集成波导上表区域两侧并与之连接的梯形过渡结构、位于半模基片集成波导上表区域两侧并与梯形过渡结构连接的微带线、位于半模基片集成波导上表区域上的一排金属化通孔，所述金属化通孔贯穿了半模基片集成波导上表区域和介质层与第二金属覆铜层连接，形成一路半模基片集成波导。本发明的有益效果：在实现同样的电路功能时减少电路结构的面积近一半，使得定向耦合器结构紧凑。

主权项

一种半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器，包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层(1)、介质层(4)、第二金属覆铜层(2)、第二介质层(5)和第三金属覆铜层(3)，所述第一金属覆铜层(1)包括一组半模基片集成波导上表区域(11)、位于半模基片集成波导上表区域(11)两侧并与之连接的梯形过渡结构(12)、位于半模基片集成波导上表区域(11)两侧并与梯形过渡结构(12)连接的微带线(13)、位于半模基片集成波导上表区域(11)上的一排金属化通孔(41)，所述金属化通孔(41)贯穿了半模基片集成波导上表区域(11)和介质层(4)与第二金属覆铜层(2)连接，形成一路半模基片集成波导，其特征在于，所述第二金属覆铜层(2)对应于半模基片集成波导的位置内具有贯穿第二金属覆铜层(2)的槽(21)，所述第三金属覆铜层(3)对应于贯穿第二金属覆铜层(2)的槽(21)的位置的靠近两端处具有两组扇形结构(31)和与扇形结构(31)连接的第三金属覆铜层微带线(32)，所述扇形结构(31)和与之连接的第三金属覆铜层微带线(32)交于槽(21)在第三金属覆铜层(3)上的垂直投影区域内。