| 发明名称 | 用基于联吡啶的整平剂在微电子装置中电沉积铜 | ||
| 摘要 | 一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法，其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征，且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部。该方法包括将半导体集成电路装置基板与电解铜沉积化学物质接触，该电解铜沉积化学物质包含(a)铜离子源和(b)整平剂化合物，其中该整平剂化合物是联吡啶基化合物与烷基化剂的反应产物；以及将电流供应至所述电解沉积化学物质，以使铜金属沉积到通孔特征的底部和侧壁上，从而得到铜填充的通孔特征。 | ||
| 申请公布号 | CN102362013A | 申请公布日期 | 2012.02.22 |
| 申请号 | CN200980155521.1 | 申请日期 | 2009.11.19 |
| 申请人 | 恩索恩公司 | 发明人 | 文森特·帕尼卡西奥;林璇;理查德·赫图贝斯;陈青云 |
| 分类号 | C25D3/38(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I;H01L21/288(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/38(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市安伦律师事务所 11339 | 代理人 | 刘良勇;李瑞峰 |
| 主权项 | 一种使半导体集成电路装置基板中的通孔特征金属化的方法，其中所述半导体集成电路装置基板包含前表面、后表面和通孔特征，且其中所述通孔特征包含在基板前表面的开口、从基板前表面向内延伸的侧壁、以及底部，该方法包括：将半导体集成电路装置基板与电解铜沉积化学物质接触，该电解铜沉积化学物质包含(a)铜离子源和(b)整平剂化合物，其中该整平剂化合物是联吡啶基化合物与烷基化剂的反应产物；以及将电流供应至所述电解沉积化学物质，以使铜金属沉积到通孔特征的底部和侧壁上，从而得到铜填充的通孔特征。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||