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发明名称
Double-sided extended drain field effect transistor, and integrated overvoltage and reverse voltage protection circuit that uses the same
摘要
申请公布号
EP2408010(A3)
申请公布日期
2012.02.22
申请号
EP20110184888
申请日期
2004.05.18
申请人
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC
发明人
SCOTT, GREG;LARAIA, J. MARCOS
分类号
H01L27/02
主分类号
H01L27/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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