发明名称 |
由半导体晶片制造集成电路的装置和方法 |
摘要 |
本发明提供一种由半导体晶片制造集成电路的装置和方法,该方法包括:对上述半导体晶片进行第一工艺;取得第一测量数据,用以指出已执行的第一工艺的正确性;使用第一测量数据,用以产生测量校正数据,其中测量校正数据包括有效部分以及无效部分;去除测量校正数据的无效部分,并且以测量校正模型模型化测量校正数据的有效部分;结合测量校正模型与第一工艺的第一工艺模型,用以产生多重解析模型,其中第一工艺模型模型化第一道工艺的输入输出关系;以及分析多重解析模型的响应与第二测量数据,用以控制第二工艺的成效。本发明用以增加先进工艺控制的控制器模块的控制有效性。 |
申请公布号 |
CN101859695B |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN201010158437.X |
申请日期 |
2010.03.31 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
曾衍迪;宋金宁;蔡柏沣;牟忠一 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;高雪琴 |
主权项 |
一种由半导体晶片制造集成电路的方法,包括:对上述半导体晶片进行一第一工艺;取得一第一测量数据,用以指出已执行的上述第一工艺的正确性;使用上述第一测量数据,用以产生一测量校正数据,其中上述测量校正数据包括一有效部分以及一无效部分;去除上述测量校正数据的上述无效部分,并且以一测量校正模型模型化上述测量校正数据的上述有效部分;结合上述测量校正模型与一第一工艺模型,用以产生一多重解析模型,其中上述第一工艺模型用以模型化上述第一工艺的一输入输出关系;以及分析上述多重解析模型的一响应与一第二测量数据,用以控制一第二工艺的成效。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |