半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该装置包括：一衬底，包括一P型阱；一低压元件区和一高压元件区，位于该P型阱中；以及一第一型离子场，位于该P型阱内且选择性分布于该高压元件区以外的区域。该装置可降低金属氧化物半导体装置与高压元件区接面所产生的漏电流，进而改善元件的击穿电压，并因而可提升元件的操作电压范围。相较于已知半导体装置，该半导体装置约可提升40％以上的击穿电压。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述制作方法包括下列步骤：提供一衬底，包括一P型阱；定义一低压元件区和一高压元件区于所述P型阱内；形成一光阻层于所述衬底上；提供一掩膜，包括一遮光区，其中所述遮光区对应于所述高压元件区；利用所述掩膜进行一微影工艺，以转移所述掩膜上的图案至所述衬底上的所述光阻层中；以及以所述光阻层为掩膜进行一离子布植工艺，以将一P型离子植入所述衬底内，而形成选择性分布的所述P型离子场于所述高压元件区以外的区域。