| 主权项 |
1.一种薄膜沉积装置,系用以在一待加工物件之表面上沉积一金属薄膜或金属化合物薄膜者,其包含:一腔结构,其定义出一用以在该物件(W)上沉积一薄膜的反应腔(2),其并包含一用以承载该反应腔(2)内之该物件的板(4);一供应气体单元(62),系用以将反应气体供给至该反应腔(2)内一面对该板(4)的位置上,俾在该物件(W)之表面上,沉积一金属薄膜或金属化合物薄膜;及,一电绝缘材料制之抗黏附薄膜(78),其系形成于该反应腔(2)之内表面上,以阻碍该薄膜沉积在该反应腔(2)之内表面上,并促进该薄膜沉积在该待加工物件(W)之表面上。2.如申请专利范围第1项之薄膜沉积装置,其更包含:冷却元件(56,58),系用以冷却该反应腔(2)之内表面,以阻碍前述薄膜沉积在该反应腔(2)之内表面上,并促进前述薄膜沉积在该待加工物件(W)之表面上。3.如申请专利范围第1或2项之薄膜沉积装置,其中该供应气体单元(62)具有一面对该板(4)的表面(64A),且该供应气体单元(62)之该表面(64A)具有一抗黏附薄膜(78)形成于其上。4.如申请专利范围第1或2项之薄膜沉积装置,其中该反应腔(2)系由具有良好热传导性之材料所制成。5.如申请专利范围第1或2项之薄膜沉积装置,其中该供应气体单元(62)具有复数气孔(76),气体通过该等气孔(76)被均匀地供给至该板(4)上之物件(W)表面。6.如申请专利范围第1或2项之薄膜沉积装置,其中该抗黏附薄膜(78)包含一具氧化物之金属化合物。7.如申请专利范围第1或2项之薄膜沉积装置,其中该抗黏附薄膜(78)包含一具氟化物之金属化合物。8.如申请专利范围第6项之薄膜沉积装置,其中该抗黏附薄膜(78)包含石英、氧化铝及阳极化铝中之一种。9.如申请专利范围第2项之薄膜沉积装置,其中该冷却元件(56,58)系含有可使冷媒流通于该反应腔(2)之隔墙(54)内及该供应气体单元(62)内的装置。图式简单说明:第一图系一剖面图,其显示一根据本发明之薄膜沈积装置之实施例;第二图系一放大图,其显示第一图装置之供应气体单元;第三图系一图示,以电负度在基础,用以解释为同w生长简易度之变化取决于基质材料;第四图系一图解剖面图,其显示一用以沈积金属薄膜之传统薄膜沈积装置。 |
