发明名称 |
一种全息闪耀光栅制作方法 |
摘要 |
本发明是一种全息闪耀光栅的制作方法,通过先在基片上制作同质光栅,以该同质光栅为掩模,进行斜向离子束刻蚀得到所需的闪耀光栅。由于在制作同质光栅时,可以控制正向离子束刻蚀的时间,使同质光栅的槽深得到精确控制,另外在干涉光刻得到光刻胶光栅之后,可以进一步增加灰化工艺,控制光刻胶光栅的占宽比,从而控制所需的同质光栅的占宽比,因此本发明的制作方法实现了制作闪耀光栅的多参数控制,提高了制作精度。 |
申请公布号 |
CN102360093A |
申请公布日期 |
2012.02.22 |
申请号 |
CN201110318454.X |
申请日期 |
2011.10.19 |
申请人 |
苏州大学 |
发明人 |
刘全;吴建宏;陈明辉 |
分类号 |
G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
常亮;李辰 |
主权项 |
一种全息闪耀光栅制作方法,其特征在于:所述制作方法包括下列步骤:1)在基片上涂布光刻胶;2)对所述光刻胶层进行光刻,形成光刻胶光栅;3)以所述光刻胶光栅为掩模,对基片进行正向离子束刻蚀,将光刻胶光栅图形转移到基片上,形成同质光栅;4)清洗基片,去除剩余光刻胶;5)以同质光栅为掩模,对基片进行斜向Ar离子束扫描刻蚀,利用同质光栅掩模对离子束的遮挡效果,使基片材料的不同位置先后被刻蚀,形成三角形的闪耀光栅槽形;6)清洗基片,得到全息闪耀光栅。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |