一种嵌入式闪存的制作方法

摘要

本发明提供了一种嵌入式闪存的制作方法，包括：将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在逻辑区域和闪存区域内分别形成浅沟槽；在浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离；在第一氮化硅层以及浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层；在闪存区域形成凹槽；在第二氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理所述有源多晶硅层；采用湿法刻蚀去除第一氮化硅层和第二氮化硅层；去除逻辑区域的浮栅多晶硅层，在逻辑区域形成CMOS结构，在闪存区域形成字线。本发明提供的嵌入式闪存的制作方法，节约了工艺制程的步骤，提高了去除第二氮化硅层的效率。

主权项

一种嵌入式闪存的制作方法，其特征在于，包括：将半导体衬底划分为闪存区域和逻辑区域，在所述半导体衬底上依次形成二氧化硅层、浮栅多晶硅层以及第一氮化硅层，在所述逻辑区域和所述闪存区域内分别形成浅沟槽；在所述浅沟槽内填充绝缘物，以形成浅沟槽隔离；在所述第一氮化硅层以及所述浅沟槽隔离上形成第二氮化硅层；在所述闪存区域形成凹槽；在所述第二氮化硅层上沉积有源多晶硅层，以在所述凹槽内形成源极；采用化学机械研磨平坦化处理所述有源多晶硅层；采用湿法刻蚀去除所述第一氮化硅层和所述第二氮化硅层；去除所述逻辑区域的所述浮栅多晶硅层，在所述逻辑区域形成CMOS结构，在所述闪存区域形成字线。