用于一半导体装置之成形方法及半导体装置

摘要

本发明系用于一半导体装置之成形方法，包含下列步骤：形成一导电凸块于一底材之一表面；形成一介电层于导电凸块之一周围表面；设置底材于一基材之一表面，使具有介电层之导电凸块适容置于基材之一通孔；去除底材。所形成之半导体装置便包含基材、半导体积体电路及一导电结构。通孔贯设于基材中，半导体积体电路设置于基材中，导电结构设置于通孔中，以与半导体积体电路电性连接。导电结构包含导电凸块以及介电层。导电凸块之纵向尺寸大于通孔之纵向尺寸。介电层仅包覆于导电凸块之周围表面或更包覆于基材之部分表面上。