电阻式记忆体及其制造方法

摘要

一种电阻式记忆体之制造方法，包括下列步骤。首先，形成一第一导电材料层于一基板上。然后，蚀刻第一导电材料层形成一具有一第一表面之第一讯号线。接着，形成一具有第二表面之记忆材料层，记忆材料层并藉由第一表面接触第二表面与第一讯号线耦接。然后，形成一第二导电材料层与记忆材料层耦接。接着，蚀刻第二导电材料层以形成一第二讯号线，其中第二表面之面积实质上大于或等于第一讯号线与第二讯号线重叠区域之面积。