发明名称 |
用于氧化铟层之蚀刻剂组合物及利用彼等组合物之蚀刻方法 |
摘要 |
本发明系关于一种用于移除氧化铟层之蚀刻剂,其包括作为主氧化剂之硫酸;辅助氧化剂,诸如H3PO4、HNO3、CH3COOH、HClO4、H2O2及藉由将过氧硫酸钾(2KHSO5)、硫酸氢钾(KHSO4)及硫酸钾(K2SO4)以5:3:2比率一起混合所获得之复合物A;包含以铵为基础之物质之蚀刻抑制剂;及水。该蚀刻剂可在不损坏光阻图案或该氧化铟层下方层的情况下移除该氧化铟层之所要部分。 |
申请公布号 |
TWI358466 |
申请公布日期 |
2012.02.21 |
申请号 |
TW094129131 |
申请日期 |
2005.08.25 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 南韩;东友化学有限公司 南韩 |
发明人 |
赵弘济;李承佣;李俊雨;李在连;千承焕;崔容硕;朴英哲;金珍洙;金圭祥;崔东旭;林官泽 |
分类号 |
C23F1/30 |
主分类号 |
C23F1/30 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
南韩 |