发明名称 基板处理方法及基板处理装置
摘要 本发明系于对表面具有凹凸之基板供给涂布液,然后于基板之表面进行涂布膜之成膜的基板处理方法中,对旋转之基板供给涂布液,然后于基板表面形成涂布膜,再将形成有涂布膜之基板加热,以调整涂布膜之蚀刻条件。其次,对旋转之基板供给蚀刻液,于将涂布膜蚀刻之后,对基板供给涂布液,以于基板之表面形成平坦状之涂布膜。其后将基板加热以使涂布膜硬化。藉此,无须经过如化学机械研磨般之高负荷制程即可谋求均匀且精度高之涂布膜的平坦化。
申请公布号 TWI358747 申请公布日期 2012.02.21
申请号 TW095143596 申请日期 2006.11.24
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 寺田正一;水野刚资;上原健
分类号 H01L21/027;G03F7/16 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本