半导体元件及其制作方法

摘要

一种半导体元件的制作方法包括下列步骤。首先，提供一透光基板。接着，形成一遮光层于透光基板上后，再形成一第一缓冲层于遮光层上。之后，形成一半导体层于第一缓冲层上。然后，图案化遮光层、第一缓冲层与半导体层，以形成一图案化叠层。接着，在半导体层中形成一通道区与位于通道区两侧的一源极/汲极区。之后，形成一闸绝缘层于透光基板上，以覆盖图案化叠层。然后，形成一闸极于通道区上方的闸绝缘层上。