相变化记忆体

摘要

一种相变化记忆体，包括一个以上之主记忆单元，产生至少一感测讯号，其中每一该主记忆单元系具有一纪录层；一个以上之参考记忆单元，产生至少一参考讯号，其中每一该参考记忆单元系具有一记录层；以及一比较电路，用以比较该至少一感测讯号与该至少一参考讯号而产生至少一对应于比较结果之输出讯号。该等参考记忆单元当中至少之一之记录层之电性操作曲线系不同于该等主记忆单元当中至少之一之记录层之电性操作曲线，用以调变该参考讯号以提升比较电路之感测能力。