| 主权项 |
1.一种覆晶式半导体封装,系藉由覆晶式接合而将IC晶片的下面安装于电路基板的主表面,且注入封包树脂于该电路基板与该IC晶片的空隙,而封包该空隙,其特征在:以前述电路基板的主表面为基准的前述IC晶片的上面的高度,和自前述空隙超出于前述IC晶片侧面的前述封包树脂的最高部份的高度为实质上一致。2.如申请专利范围第1项之覆晶式半导体封装,其中,前述IC晶片的上面是为研削面者。3.如申请专利范围第1项之覆晶式半导体封装,其中,前述封包树脂的最高部份是为平坦面者。4.如申请专利范围第3项之覆晶式半导体封装,其中,前述封包树脂的平坦面是为围绕前述IC晶片上面周围者。5.如申请专利范围第3项之覆晶式半导体封装,其中,前述IC晶片的上面和前述封包树脂的平坦面为同一平面上的研削面者。6.如申请专利范围第2项之覆晶式半导体封装,其中,以前述电路基板的主表面为基准的前述研削面的高度为较前述IC晶片的能动元件面的高度为高者。7.如申请专利范围第3项之覆晶式半导体封装,其中,前述IC晶片的上面及前述封包树脂的平坦面系以保护被膜涂敷者。8.如申请专利范围第7项之覆晶式半导体封装,其中,前述保护被膜是为覆盖前述IC晶片的上面和前述封包树脂的平坦面的境界线上者。9.如申请专利范围第7项之覆晶式半导体封装,其中,前述保护被膜的材料和前述封包树脂的材料为相异之材料。10.如申请专利范围第1项之覆晶式半导体封装,其中,于前述IC晶片的上面,并无附着前述封包树脂。11.一种覆晶式半导体封装之制造方法,其特征为该方法包括:藉由覆晶式接合而将IC晶片的下面安装于经裁切分割成复数个电路基板的集合电路基板的主表面的安装制程;以封包树脂而封包该集合电路基板与该IC晶片之空隙及该IC晶片侧面之封包制程;及于前述封包制程之后,研削前述IC晶片上面之研削制程。12.如申请专利范围第11项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述研削制程中,以前述电路基板的主表面为基准之前述IC晶片上面的高度,和封包前述IC晶片侧面的前述封包树脂的最高部份高度实质上系一致者。13.如申请专利范围第1项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述研削制程中,作为前述封包树脂的最高部份是形成平坦面者。14.如申请专利范围第13项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述研削制程当中,围绕前述IC晶片上面周围的前述封包树脂为形成平坦面者。15.如申请专利范围第13项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述研削制程中,形成前述IC晶片的上面与前述封包树脂的平坦面为同一平面上的研削面者。16.如申请专利范围第11项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述研削制程之后,含有以保护被膜涂敷前述IC晶片的上面及前述封包树脂的平坦面之涂敷制程者。17.如申请专利范围第16项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述涂敷制程中,将前述保护被膜于前述IC晶片的上面与前述封包树脂的平坦面的境界线上者。18.如申请专利范围第16项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,藉由雷射光研削前述保护被膜而进行标记之标示者。19.如申请专利范围第11项之覆晶式半导体封装之制造方法,其中,在前述研削制程之后,含有分割前述集合电路基板成各个前述电路基板之裁切制程者。图式简单说明:第一图为本发明第1实施形态的覆晶式半导体封装的制造方法的剖视图。第二图为说明本发明第1实施形态的覆晶式半导体封装构造的上视图。第三图为沿第二图之C-C剖开的剖视图。第四图为说明本发明第2实施形态之覆晶式半导体封装构造的剖视图。第五图(A)至第五图(C)为用以说明习知覆晶式半导体封装的制造方法的制程图,其中,(A)为电路基板形成制程的说明图、(B)为IC安装的说明图、(C)为树脂封包制程的说明图。第五图(A)至第五图(C)中,分别于图面右侧表示上视图,而分别在各上视图的左侧表示沿该上视图的A-A线剖视图。另在第五图(B)及(C)中,省略IC连接用电极3及外部连接用电极4的图示。第六图(A)至第六图(C)为继续于第五图(C)的制程图,其中,(A)为电极形成制程的说明图,(B)为贴附制程的说明图,(C)为裁切制程的说明图。在(A)至(C)中,分别于图面的右侧表示上视图,分别在各上视图的左侧表示沿该上视图A-A线剖开的剖视图。另在(A)至(C)中省略IC连接用电极3及外部连接用电极4的图示。第七图为覆晶式半导体封装的上视图。第八图为沿第七图A-A线剖开的剖视图。第九图为沿第七图B-B线剖开的剖视图。 |
