| 主权项 |
1.一种形成电晶体于半导体基材上之方法,该方法至少包含以下步骤:形成一闸极绝缘层于该基材上;形成一第一矽层于该闸极绝缘层上;形成一抗反射层于该第一矽层上;去除部分之该抗反射层、该第一矽层、及该闸极绝缘层以定义一闸极区域;去除部分之该闸极绝缘层以提供底切空间于该第一矽层之下方;形成一介电层于该基材上、该闸极区域之侧壁上、以及该底切空间之内;形成侧壁结构于该闸极区域之侧壁上,该侧壁结构含有第一型离子;去除该抗反射层;形成一第二矽层于该基材上及该第一矽层上方、该第二矽层含有第二型离子;及进行一热制程,以扩散该第一型离子及该第二型杂子进入该基材内。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之基材至少包含矽基材。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之闸极绝缘层至少包含一氧化层,该氧化层系于一含氧环境中,由该基材加热成长而成,该氧化属之厚度约为15埃至300埃之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一矽层至少包含一未掺杂之多晶矽层,该未掺杂之多晶矽层沈积之厚度约为300埃至2000埃之间。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之抗反射层至少包含一沈积而成之氮化矽层。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之去除部分之该抗反射层、该第一矽层、及该闸极绝缘层以定义该闸极区域的步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻层于该抗反射层上;定义一闸极图案于该光阻层上;及以该光阻层为罩幕,蚀刻该抗射层、该第一矽层、及该闸极绝缘层,以定义该闸极区。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层至少包含一氮氧化层,该氮氧化层系于含氮及氧之环境中,由该基材及该第一矽层加热成长而成,该氮氧化层之厚度约为5埃至100埃之间。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之侧壁结构系为硼砂玻璃(BSG),该第一型离子系为硼离子。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二矽层至少包含一硼掺杂矽层,该第一型离子系为硼离子。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之硼掺杂矽层系以一选择性沈积方式形成。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之热制程至少包含一快速加热制程,其温度约为700℃至1150℃之间,以扩散该第一型离子以形成延伸源汲极区于该基材内,及扩散该第二型离子以形成源汲极区于该基材内。12.一种形成一电晶体于一半导体基材之方法,该方法至少包含以下步骤:形成一闸极绝缘层于该基材上;形成一第一矽层于该闸极绝缘层上;形成一抗反射层于该第一矽层上;去除部分之该抗反射层、该第一矽层、及该闸极绝缘层以定义一闸极区域;去除部分之该闸极绝缘层以提供底切空间于该第一矽层之下方;形成一介电层于该基材上、该闸极区域之侧壁上、以及该底切空间之内,该介电层至少包含一氮氧化层,该氮氧化层系于含氮及氧之环境中,由该基材及该第一矽层加热成长而成;形成硼砂玻璃(BSG)之侧壁结构于该闸极区域之侧壁上;去除该抗反射层;形成一硼掺杂矽属于该基材上及该第一矽层上方;及进行一热制程,以扩散该侧壁结构及该硼掺杂矽层内之硼杂子进入该基材内。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之基材至少包含矽基材。14.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之闸极绝缘层至少包含一氧化层,该氧化层系于一含氧环境中,由该基材加热成长而成,该氧化层之厚度约为,15埃至300埃之间。15.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之第一矽层至少包含一未掺杂之多晶矽层,该未掺杂之多晶矽层沈积之厚度约为300埃至2000埃之间。16.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之抗反射层至少包含一沈积而成之氮化矽层。17.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之去除部分之该抗反射层、该第一矽层、及该闸极绝缘层以定义该闸极区域的步骤,至少包含以下步骤:形成一光阻层于该抗反射层上;定义一闸极图案于该光阻层上;及以该光阻层为罩幕,蚀刻该抗反射层、该第一矽层、及该闸极绝缘层,以定义该闸极区域。18.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之氮氧化层之厚度约为5埃至100埃之间。19.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之硼掺杂矽层系以一选择性沈积方式形成。20.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之热制程至少包含一快速加热制程,其温度约为700℃至1150℃之间,以扩散该侧壁结构内之硼离子以形成延伸源汲极区于该基材内,及扩散该硼掺杂矽层内之硼离子以形成源汲极区于该基材内。图式简单说明:第一图显示本发明中形成闸极绝缘层、第一矽层、及抗反射属于基材上之截面示意图。第二图显示本发明中去除部分之抗反射层、第一矽层、及闸极绝缘层以定义一闸极区域之截面示意图。第三图显示本发明中去除部分之该闸极绝缘层以提供底切空间、以及形成介电层于基材上、闸极区域之侧壁上、以及底切空间之内的截面示意图。第四图显示本发明中形成侧壁结构于闸极区域上之截面示意图。第五图显示本发明中去除抗反射层并形成第二矽层于基材上及第一矽层上方之截面示意图。第六图显示本发明中进行一热制程,以扩散第一型离子及第二型离子进入基材内之截面示意图。 |
