| 主权项 |
1.一种重叠量测(Overlay Measurement) 平坦化层之方法,包括下列步骤:提供一基底,其表面具有一凹槽;形成一不透光层,其顺应性覆盖该凹槽及基底;平坦化该不透光层,以在该凹槽内留下一具有步阶高度之凹型不透光层;形成一层间介电层,其顺应性覆盖该凹型不透光层及基底;定义一光阻层,其位于该层间介电层表面之对应该凹型不透光层的既定位置;及重叠量测该光阻层与该凹型不透光层,以检验上下层之偏差。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该基底包括有半导体元件和与之电性连接之多层金属内连线,以及隔离上述各层之介电层。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中,该不透光层为金属层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该不透光层并未填满该凹槽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该凹槽深度约为20K。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包括蚀刻该基底以形成该凹槽至一既定宽度,用以使该层间介电层形成一局部凹陷之图案。7.一种重叠量测平坦化层之方法,包括下列步骤:提供一基底,其表具有一凹槽;形成一复晶矽层,覆盖该基底并填满该凹槽;平坦化该复晶矽层,以于该凹槽内留下具有步阶高度之凹型复晶矽层;形成一层间介电层,其覆盖该凹型复晶矽层及基底;定义一光阻层,其位于该层间介电层表面之对应该凹型复晶矽层的既定位置;及重叠量测该光阻层与该凹型复晶矽层,以检验上下层之偏差。8.一种重叠量测平坦化层之方法,包括下列步骤:提供一基底,其表面具有一环状凹槽;形成一不透光层,其顺应性覆盖该环状凹槽及基底,其中该环状凹槽之宽度大于该不透光层厚度;平坦化该不透光层,以在该环状凹槽内留下一具有步阶高度之环状凹型不透光层;形成一层间介电层,其顺应性覆盖该环状凹型不透光层及基底;定义一光阻层,其位于该层间介电层表面之对应该环状凹型不透光层的既定位置;及重叠量测该光阻层与该环状凹型不透光层,以检验上下层之偏差。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,该基底包括有半导体元件和与之电性连接之多层金属内连线,以及隔离上述各层之介电层。10.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,该不透光层为金属层。11.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,该不透光层并未填满该凹槽。12.如申请专利范围第8项所述之方法,其中,该凹槽深度约为20K。13.如申请专利范围第8项所述之方法,其中其中该环状凹槽之宽度大于该不透光层厚度之两倍。14.一种重叠量测平坦化层之方法,包括下列步骤:提供一基底,其表面具有一环状凹槽;形成一不透光层,其顺应性覆盖该环状凹槽及基底;平坦化该不透光层,以在该环状凹槽内留下一具有步阶高度之环状凹型不透光层;形成一层间介电层,其顺应性覆盖该环状凹型不透光层及基底,其中该环状凹槽之宽度大于该层间介电层之厚度;定义一光阻层,其位于该层间介电层表面之对应该环状凹型不透光层的既定位置;及重叠量测该光阻层与该环状凹型不透光层,以检验上下层之偏差。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该基底包括有半导体元件和与之电性连接之多层金属内连线,以及隔离上述各层之介电层。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该不透光层为金属层。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该不透光层并未填满该凹槽。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该层间介电层于对应该环状凹槽之位置,系形成一局部凹陷之图案。19.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,该凹槽深度约为20K。20.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该环状凹槽之宽度大于该层间介电层之厚度两倍。图式简单说明:第一图系为先前技术中,传统形成金属内连线结构之半导体制程剖面图。第二图至第三图系为先前技术中,传统形成镶嵌式金属内连线结构之半导体制程剖面图。第四图A系为先前技术中,传统镶嵌式金属内连线结构中,上下层间之重叠量测步骤剖面图。第四图B系为先前技术中,传统镶嵌式金属内连线结构中,上下层间之重叠量测步骤上视图。第四图C系为先前技术中,传统镶嵌式金属内连线结构中,上下层间之重叠量测影像示意图。第五图A至第五图D系显示本发明之第一实施例中,于镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,以对上下层进行重叠量测步骤之剖面图。第五图E系显示本发明之第一实施例中,于镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,以对上下层进行重叠量测步骤之上视图。第五图F系显示本发明之第一实施例中,于镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,对上下层进行重叠量测之影像示意图。第六图A系为先前技术中,传统环状镶嵌式金属内连线结构中,上下层间之重叠量测步骤剖面图。第六图B系为先前技术中,传统环状镶嵌式金属内连线结构中,上下层间之重叠量测步骤上视图。第六图C系为先前技术中,传统环状镶嵌式金属内连线结构中,上下层间之重叠量测影像示意图。第七图A至第七图D系显示本发明之第二实施例中,于环状镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,以对上下层进行重叠量测步骤之剖面图。第七图E系显示本发明之第二实施例中,于环状镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,以对上下层进行重叠量测步骤之上视图。第七图F系显示本发明之第二实施例中,于环状镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,对上下层进行重叠量测之影像示意图。第八图A系显示本发明之第三实施例中,于环状镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,以对上下层进行重叠量测步骤之剖面图。第八图B系显示本发明之第三实施例中,于环状镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,以对上下层进行重叠量测步骤之上视图。第八图C系显示本发明之第三实施例中,于环状镶嵌式金属内连线结构形成具有步阶高度之平坦化层,对上下层进行重叠量测之影像示意图。 |
