| 摘要 |
1. Запоминающее устройство, содержащее ! - подложку в первой плоскости; ! - первое металлическое соединение, тянущееся во второй плоскости, при этом вторая плоскость является по существу перпендикулярной первой плоскости; и ! - первый магнитный туннельный переход (MTJ), имеющий первый слой, соединенный с металлическим соединением таким образом, что первый слой MTJ ориентирован вдоль второй плоскости. ! 2. Запоминающее устройство по п.1, в котором первый MTJ включает в себя один или более слоев, ориентированных вдоль второй плоскости. ! 3. Запоминающее устройство по п.1, в котором транзистор сформирован на подложке. ! 4. Запоминающее устройство по п.3, в котором первое металлическое соединение соединяется с транзистором. ! 5. Запоминающее устройство по п.4, дополнительно содержащее ! - соединение линии истока и соединение словарной линии, причем каждое соединяется с транзистором. ! 6. Запоминающее устройство по п.5, дополнительно содержащее ! - соединение битовой линии, соединенное со вторым слоем первого MTJ, при этом второй слой ориентирован вдоль второй плоскости. ! 7. Запоминающее устройство по п.6, в котором ток выполнен с возможностью протекать между соединением битовой линии и металлическим соединением через слои первого MTJ во второй плоскости. ! 8. Запоминающее устройство по п.1, в котором первый слой является закрепленным слоем, и в котором первый MTJ дополнительно включает в себя ! - слой туннельного перехода, ориентированный вдоль второй плоскости; и ! - свободный слой, ориентированный вдоль второй плоскости. ! 9. Запоминающее устройство по п.8, дополнительно содержащее ! - канавку, сформированную в изоляторе, при этом закреп |
