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Procedimiento de realización de un depósito (14) no continuo de un primer material sobre un substrato (2), que incluye: a) la formación de una máscara sobre este substrato (2), mediante la formación de al menos dos capas (4, 6) de máscara, una capa superior (6) y una capa inferior (4), la más próxima al substrato (2), y el grabado de al menos una cavidad (100, 10, 10'', 12, 12'') en estas capas (4, 6), teniendo la citada al menos una cavidad (100, 10, 10'', 12, 12'') un perfil tal que un depósito (14) realizado sobre el substrato (2), a través de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10'', 12, 12'') de la máscara, presenta al menos una discontinuidad sobre el perfil de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10'', 12, 12''), b) el depósito (14) del primer material (14, 16, 14'', 16''), de silicio amorfo, sobre el substrato (2), a través de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10'', 12, 12'') de la máscara, incluyendo este depósito (14) al menos una discontinuidad sobre el perfil de la citada al menos una cavidad (100, 10, 10'', 12, 12''), y a continuación la oxidación del silicio amorfo, c) la eliminación de la máscara.
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