SIC-Halbleitervorrichtung

摘要

Eine SiC-Halbleitervorrichtung beinhaltet einen Reverse-MOSFET, aufweisend: ein Substrat (1); eine Driftschicht (2) und eine Basisregion (3) auf dem Substrat; eine Basiskontaktschicht (5) und eine Sourceregion (4) auf der Basisregion; mehrere Gräben (6) mit einer Längsrichtung in einer ersten Richtung, die die Sourceregion und die Basisregion durchdringt; eine Gateelektrode (9) in jedem Graben mittels eines Gateisolierfilms (8); einen Zwischenschichtisolierfilm (12), der die Gateelektrode bedeckt und ein Kontaktloch (12a) aufweist, durch welches die Sourceregion und die Basiskontaktschicht freigelegt sind; eine Sourceelektrode (11), die mit der Sourceregion und der Basisregion durch das Kontaktloch gekoppelt ist; eine Drainelektrode (13) auf dem Substrat. Die Sourceregion und die Basiskontaktschicht erstrecken sich entlang einer zweiten Richtung senkrecht zur ersten Richtung und sind abwechselnd entlang der ersten Richtung angeordnet. Das Kontaktloch weist eine Längsrichtung in der ersten Richtung auf.